利用光子效应所制成的红外光电开关传感器，统称红外光电传感器。按照光子效应的工作原理可将光子效应分为光电发射 效应、光电导效应、光生伏特效应和光电磁效应。光电子发射 效应是指在光辐射作用下产生的光电子会逸出被照射材料的表面，常成为外光电效应，它多发生在金属类材料中。光电导效应、光生伏特效应和光电磁效应则是普遍在材料的内部产生的，电子并不逸出材料的表面，故这三种形式的效应常称为内光电效应。

　　按照光电红外光电开关传感器的工作原理，一般分为内光电和外光电传感器两种，内光电传感器又分光电导传感器、光生伏特传感器和光磁电传感器等三种。

　　1、外光电传感器(PF器件)

　　当光辐射照在某些材料的表面上时，若入射光的光子能量足够大，就能使材料的电子逸出表面，向外发射出电子，这种现象叫做外光电效应或光电子发射效应。真空光敏二极管、充气光敏二极管、光电倍增管等便属于这种类型的传感器，而增强硅靶摄像管、二次电子电导摄像管等则是由外光电效应制成的摄像器件。外光电传感器的响应速度比较快，一般只需几个毫微秒，但电子逸出需要较大的光子能量，只适宜在近红外辐射或可见光范围内使用。

　　2、光电导传感器(PC器件)

　　当红外辐射照射在某些光导体材料表面上时，半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态，使半导体的导电率增加，这种现象叫做光电导现象。

　　利用光电导现象制成的传感器称为光电导传感器，如硫化铅PBS、硒化铅PBSE、锑化甸INSB、等材料都可制造光电导传感器。使用光电导传感器时，需要制冷和加上一定的偏压，否则会使响应率降低、噪声大、响应波段窄，以致使红外传感器损坏。

　　3、光生伏特传感器(PV器件)

　　在无光照射下，PN结内存在内部自建电场E。当红外辐射照射在PN结及其附近时，结内电场作用下，自由电子移动向N区，空穴则移动向P区。在PN结开路情况下，则在PN结的两端生一个附加电动势，这个动势称为光生电动势，这种现象叫做光生伏特效应。利用这种效应制成的传感顺口 ，称为光生伏特红外光电开关传感器。

　　常见光生伏特传感器的半导体材料有INAS砷化锢等，常见的是PN结型光伏器件。光伏型器件除了单元器件外，还有陈列器件、件等。常见的单元器件有：光电池、光敏二极管、雪崩光敏二极管、光电三极管及硅靶摄像管等。

　　4、光磁电传感器(PEM器件)

　　将某些半导体材料置于强磁场中，当红外辐射照射在它的表面上时，则在这种材料的表面层内便激发出光生载波子电子——空穴对，并在其表面层和体内形成载流子尝试梯度，于是光生载流子向内部扩散。在扩散过程中，由于磁场产生的洛仑兹力的作用，电子和空穴将各偏向一边，产生电荷积累，这种现象叫做光磁电效应。利用光磁电效应的传感器，称为光磁电传感器。

　　光磁电传感器不需要制冷，响应波段可达7um左右，时间常数小，响应速度快，不用加偏压，内阻极低，噪声小，有良好的稳定性和可靠性，但其灵敏度低，低噪声前置放大器制作 困难，因而影响了使用。

　　5、光子发射传感器(PE器件)

　　当光照射在某些金属、金属氧化物或某些半导体表面上时，假若入射光的光子能量hv足够大，电子吸取光子能量后就能逸出材料表面，即向外发射电子，这种现象就叫做光电子发射效应或称外光电效应。