电光KERR效应是一种存在于各种光纤介质中的与电场强度二次方有关的电光效应，其表达式为N=KE2。其公式中为介质折射率的变化量，E为外加电场强度;K为与介质及通光波长相关的常数。介质中N的出现将引起通过其中的光波偏振态的变化，故检测光波偏振态可获偷偷的哭 被测电场。KERR效应很弱，在无对称中心的晶体中，一般KERR效应较POCKELS效应小几个数量级，并且N与E也不是线性关系。

　　当压电晶体受到外加电场作用时，晶体除产生极化现象以外，同时形状也产生微小变化，即产生应变，这种现象称为逆压电效应。若将逆压电效应引起的晶体形变转化为光信号的调制并检测光信号，则可用作电场或电压的光纤光电开关传感器。