高速微处理器芯片的电压为1.7V低1，必须应用到低的压力降。

　　约1V的低电压硅二极管的正向压降，小驰基二极管的正向电压约o.45v(低电压可以作为接近开关作为低o.32v)。低电压MOSF [新装置可以通态电阻和非常小的，如irl3102(20v61a)，irf7805和irf7807通态电阻是o.0130，分别为0.009261和o.017d，5A的电流，通过态压降小于o.1v。具有低的压力降m05fet和二极管并联运行，一个低压降的形成是非常低的高质量的二极管，使低电压电源的效率，可以为95K高。

　　由于MOSFET的栅极驱动，二极管的正向电压应与二极管的正向电压的时间同步。

　　同步装置或同步整流装置。图3 B，5A是典型的降压型开关变换器主电路的“同步”(当电路没有VFz，为“普通”的降压型开关变换器电路)。当VDL是不断流动的当电压是打开的，要赶在时间的VF2减少压降损失。但为了避免VPL和VF2同时在状态，对短路事故的风险，从自由到VFS传导过渡，以及从VF2的过渡沃尔夫是打开的，必须要有一个短筒两不导通时间的区域，被称为“死亡区”;在死的时候仍然是二极管VDL。VF2开关瞬间，与续流二极管，通过瞬时密切合作，开关速度例如度要求更高，可以用来选择一个很小的电容irf780 7。